以高頻電漿之化學沈積程序進行二氧化鈦光觸媒薄膜之表面改質與晶體摻雜

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Title:	以高頻電漿之化學沈積程序進行二氧化鈦光觸媒薄膜之表面改質與晶體摻雜
Other Titles:	Surface Modification, Doping, and Functionalization of Photocatalytic Film Structure under Radio-Fre
Authors:	鄧宗禹 Den,Walter
Contributors:	行政院國家科學委員會東海大學環境科學系
Keywords:	高頻電漿;氮摻雜;光催化
Date:	2004
Issue Date:	2011-11-07T12:30:35Z (UTC)
Abstract:	由於二氧化鈦具有狹窄之間隙能量帶、高度光吸收率、適當之半導體性質、以及豐富的天然資源，因此早在1970 年代中期起，以二氧化鈦為光催化材料之研究便相當廣泛，也於今日成為民眾耳熟能詳之消費性產品。然而直至近幾年來，相關之研究多侷限於已近紫外線（near ultraviolet）為光源之光催化應用範圍（包括氣相及液相之污染物分解）與操作參數最佳化，甚少探討有關材料改質與吸收光譜之研究。直至二十世紀末期才逐漸出現以微量摻雜之二氧化鈦觸媒，試圖突破光觸媒需要近紫外線光源之限制。這些微量摻雜的方法包括植入過渡金屬、或以氣相沈積法與液相凝膠法摻入V-VI 族之非金屬元素，以期改變二氧化鈦之晶體結構，並將其有效吸收光譜範圍移轉至可見光範圍內，達到可見光觸媒之效果。本研究群於兩年前著手進行二氧化鈦光觸媒改質之相關研究，主要目標為在不同能量環境（高溫、電漿）之中將氮元素摻雜入二氧化鈦晶體，目前以獲得具體的正面成果。本研究將試圖以高頻（radio frequency, RF）電漿環境取代高壓直流（high-voltage direct-current）電漿，進行商用觸媒表面改質、以及探討在此環境下產生之氮摻雜二氧化鈦薄膜之化學與光吸收性質。高頻電漿具電漿均勻度高、薄膜緊密、以及控制性較佳的優勢，因此本研究將與前期改質觸媒之性質進行比較，並初步測試其產品之氣態可見光觸媒效果。
Relation:	研究編號：NSC93-2211-E029-002 研究期間：2004-08 ~ 2005-07
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