個別一維奈米材料之光電特性研究(1/3)

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Title:	個別一維奈米材料之光電特性研究(1/3)
Other Titles:	Study of the Optoelectronic Properties of Individual One-Dimensional Nanomaterials
Authors:	簡世森
Contributors:	行政院國家科學委員會東海大學物理系
Date:	2005
Issue Date:	2011-11-17T06:04:41Z (UTC)
Abstract:	一維奈米材料(one-dimensional nanomaterial)因為其特殊之長寬比率，具有極高的潛力於製作功能性(更輕巧、更環保、更快速、更高整合)之奈米元件，如奈米電子光電元件與高靈敏度之氣體或化學感測元件，可將奈米技術帶入現實生活當中，應用潛力無可限量。然而受限於一維奈米材料細微的結構，對於單一之一維奈米材料(例如奈米柱nanorod)之分析是一難度極高的技術。因此本計畫提出以掃瞄探針(scanning probe)研究具有垂直排列(vertically aligned)之奈米柱之構想，以克服檢測單一一維奈米材料之技術瓶頸。本計畫之研究主題為建構一套用於以掃瞄探針分析儀(scanning probe microscope)為基礎之光電特性檢測設備；結合掃瞄探針之奈米分析功能與光激發電流效應(photoconducting)/電激發光(electroluminescence)效應之光電特性檢測，以應用於研究單一奈米材料之光電特性。尤其針對氧化鋅(ZnO)奈米柱與表面氣體吸附/光照射之反應，及其螢光光譜與注入電子之關係。此外，本計畫將研究以氣液固(vapor-liquid-solid，VLS)法成長垂直排列之奈米柱，特別是結合電子束微影術製備具備特定排列格式之奈米柱，並提出改良設計之VLS，以雙向氣流爐管成長異質結構(heterostructure)ZnO/ZnMgO 奈米柱。本計畫為三年期計畫，預期將建立分析單一奈米材料之設備與技術，以及製備垂直排列之奈米柱(同質結構與異質結構)的方法，提供國內研究團隊使用與參考。並深入瞭解奈米柱之光電性質，強化國內於一維奈米材料之基本物理及元件特性之研究，以促進一維奈米材料光電與感測元件之實現。
Relation:	研究編號：NSC94-2112-M029-001 研究期間：2005-01 ~ 2005-12
Appears in Collections:	[應用物理學系所] 國科會研究報告

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